Накопитель SSD Samsung 4TB 870 EVO MZ-77E4T0BW
Артикул 100132330
Есть в наличии
Нет в наличии
Доставка с ...
Гарантия 12 месяцев
Товар новый, в заводской упаковке
Срок доставки в рабочих днях
0-2
?
Страна-изготовитель может отличаться, так как производство ведётся в нескольких странах. Это не влияет на качество: все заводы бренда работают по единым стандартам, а продукция проходит строгий контроль.
Страна производитель
Южная корея
Вес, г (брутто)
90
Габариты, см (брутто)
14.5/10.0/1.5
Все характеристики
Хит / Советуем
Розничная цена
99 500 ₽
Юридическим лицам (НДС 5%)
104 475 ₽
Накопитель SSD Samsung 4TB 870 EVO MZ-77E4T0BW
Есть в наличии
99 500 ₽
Тип накопителя **Внутренний твердотельный накопитель Solid State Drive**
Интерфейс подключения **SATA III (6 Гбит/с), обратная совместимость с SATA II и SATA I**
Форм-фактор **2.5 дюйма**
Объем памяти **4 ТБ**
Тип флеш-памяти **Samsung V-NAND 3bit TLC**
Модель управляющего контроллера **Samsung MKX**
Тип и объем буферной памяти **Samsung 4 ГБ Low Power DDR4 SDRAM**
Скорость последовательного чтения **До 560 МБ/с**
Скорость последовательной записи **До 530 МБ/с**
Скорость произвольного чтения (4KB, QD32) **До 98000 IOPS**
Скорость произвольной записи (4KB, QD32) **До 88000 IOPS**
Аппаратное шифрование и безопасность **256-битное аппаратное шифрование AES, поддержка TCG/Opal v2.0, IEEE1667**
Среднее время наработки на отказ **1500000 часов**
Ресурс прочности (Endurance) **2400 TBW**
Дополнительные программные технологии **Поддержка команд TRIM, интеллектуальный алгоритм очистки памяти Garbage Collection, алгоритм исправления ошибок ECC, поддержка системы S.M.A.R.T.**
Интерфейс подключения **SATA III (6 Гбит/с), обратная совместимость с SATA II и SATA I**
Форм-фактор **2.5 дюйма**
Объем памяти **4 ТБ**
Тип флеш-памяти **Samsung V-NAND 3bit TLC**
Модель управляющего контроллера **Samsung MKX**
Тип и объем буферной памяти **Samsung 4 ГБ Low Power DDR4 SDRAM**
Скорость последовательного чтения **До 560 МБ/с**
Скорость последовательной записи **До 530 МБ/с**
Скорость произвольного чтения (4KB, QD32) **До 98000 IOPS**
Скорость произвольной записи (4KB, QD32) **До 88000 IOPS**
Аппаратное шифрование и безопасность **256-битное аппаратное шифрование AES, поддержка TCG/Opal v2.0, IEEE1667**
Среднее время наработки на отказ **1500000 часов**
Ресурс прочности (Endurance) **2400 TBW**
Дополнительные программные технологии **Поддержка команд TRIM, интеллектуальный алгоритм очистки памяти Garbage Collection, алгоритм исправления ошибок ECC, поддержка системы S.M.A.R.T.**