Накопитель Samsung 870 EVO 1000 ГБ SATA MZ-77E1T0BW
Артикул 100210102
Есть в наличии
Нет в наличии
Доставка с ...
Гарантия 12 месяцев
Товар новый, в заводской упаковке
P/N
MZ-77E1T0BW
Срок доставки в рабочих днях
1-3
?
Страна-изготовитель может отличаться, так как производство ведётся в нескольких странах. Это не влияет на качество: все заводы бренда работают по единым стандартам, а продукция проходит строгий контроль.
Страна производитель
Китай
Вес, г (брутто)
88
Все характеристики
Розничная цена
24 300 ₽
Юридическим лицам (НДС 5%)
25 515 ₽
Накопитель Samsung 870 EVO 1000 ГБ SATA MZ-77E1T0BW
Есть в наличии
24 300 ₽
Назначение **Модернизация дисковой подсистемы настольных ПК и ноутбуков, ускорение загрузки операционной системы и ресурсоемких приложений**
Объем встроенной памяти **1000 ГБ**
Интерфейс подключения **SATA III 6 Гбит/с, обратная совместимость с SATA II и SATA I**
Тип используемой флеш-памяти **Samsung V-NAND 3-bit MLC**
Модель центрального контроллера **Samsung MKX**
Объем кэш-памяти DRAM **1 ГБ Low Power DDR4**
Максимальная скорость последовательного чтения **До 560 МБ/с**
Максимальная скорость последовательной записи **До 530 МБ/с**
Максимальная скорость произвольного чтения **До 98000 IOPS**
Максимальная скорость произвольной записи **До 88000 IOPS**
Гарантированный ресурс записи **600 ТБ**
Среднее время наработки на отказ **1500000 часов**
Поддерживаемые защитные механизмы **Аппаратное шифрование AES 256-бит, TCG/Opal, IEEE1667**
Интегрированные технологии и команды **TRIM, S.M.A.R.T, алгоритм автоматического сбора мусора Auto Garbage Collection, технология Intelligent TurboWrite**
Фирменное программное обеспечение **Samsung Magician для управления накопителем, Data Migration для миграции данных**
Объем встроенной памяти **1000 ГБ**
Интерфейс подключения **SATA III 6 Гбит/с, обратная совместимость с SATA II и SATA I**
Тип используемой флеш-памяти **Samsung V-NAND 3-bit MLC**
Модель центрального контроллера **Samsung MKX**
Объем кэш-памяти DRAM **1 ГБ Low Power DDR4**
Максимальная скорость последовательного чтения **До 560 МБ/с**
Максимальная скорость последовательной записи **До 530 МБ/с**
Максимальная скорость произвольного чтения **До 98000 IOPS**
Максимальная скорость произвольной записи **До 88000 IOPS**
Гарантированный ресурс записи **600 ТБ**
Среднее время наработки на отказ **1500000 часов**
Поддерживаемые защитные механизмы **Аппаратное шифрование AES 256-бит, TCG/Opal, IEEE1667**
Интегрированные технологии и команды **TRIM, S.M.A.R.T, алгоритм автоматического сбора мусора Auto Garbage Collection, технология Intelligent TurboWrite**
Фирменное программное обеспечение **Samsung Magician для управления накопителем, Data Migration для миграции данных**