Накопитель SSD Samsung 990 Pro 1TB MZ-V9P1T0B/AM
Артикул 100210837
Есть в наличии
Нет в наличии
Доставка с ...
Гарантия 12 месяцев
Товар новый, в заводской упаковке
P/N
MZ-V9P1T0B/AM
Срок доставки в рабочих днях
0-2
?
Страна-изготовитель может отличаться, так как производство ведётся в нескольких странах. Это не влияет на качество: все заводы бренда работают по единым стандартам, а продукция проходит строгий контроль.
Страна производитель
Китай
Вес, г (брутто)
50
Все характеристики
Розничная цена
21 490 ₽
Юридическим лицам (НДС 5%)
22 565 ₽
Накопитель SSD Samsung 990 Pro 1TB MZ-V9P1T0B/AM
Есть в наличии
21 490 ₽
Емкость накопителя **1 ТБ**
Форм-фактор **M.2 2280**
Интерфейс подключения **PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0**
Тип флеш-памяти **Samsung V-NAND 3-bit MLC, TLC**
Модель встроенного контроллера **Samsung в патентованной архитектуре**
Объем кэш-памяти DRAM **1 ГБ Low Power DDR4 SDRAM**
Максимальная скорость последовательного чтения **7450 МБ/с**
Максимальная скорость последовательной записи **6900 МБ/с**
Скорость произвольного чтения (4KB, QD32) **До 1200000 IOPS**
Скорость произвольной записи (4KB, QD32) **До 1550000 IOPS**
Ресурс записи (TBW) **600 ТБ**
Аппаратное шифрование данных **256-bit AES, TCG/Opal 2.0, MS eDrive**
Среднее время наработки на отказ (MTBF) **1500000 часов**
Поддерживаемые технологии и команды **TRIM, S.M.A.R.T, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard**
Максимальное энергопотребление **5.4 Вт при чтении, 5 Вт при записи, 50 мВт в режиме ожидания, 5 мВт в режиме L1.2**
Форм-фактор **M.2 2280**
Интерфейс подключения **PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0**
Тип флеш-памяти **Samsung V-NAND 3-bit MLC, TLC**
Модель встроенного контроллера **Samsung в патентованной архитектуре**
Объем кэш-памяти DRAM **1 ГБ Low Power DDR4 SDRAM**
Максимальная скорость последовательного чтения **7450 МБ/с**
Максимальная скорость последовательной записи **6900 МБ/с**
Скорость произвольного чтения (4KB, QD32) **До 1200000 IOPS**
Скорость произвольной записи (4KB, QD32) **До 1550000 IOPS**
Ресурс записи (TBW) **600 ТБ**
Аппаратное шифрование данных **256-bit AES, TCG/Opal 2.0, MS eDrive**
Среднее время наработки на отказ (MTBF) **1500000 часов**
Поддерживаемые технологии и команды **TRIM, S.M.A.R.T, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard**
Максимальное энергопотребление **5.4 Вт при чтении, 5 Вт при записи, 50 мВт в режиме ожидания, 5 мВт в режиме L1.2**